Charakterizácia GaN bufferových vrstiev rastených na SiC pomocou MOCVD pri rôznych tlakoch
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | slovaque |
| Publié: |
2025
|
| Sujets: | |
| Accès en ligne: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=184537 |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Charakterizácia GaN bufferových vrstiev rastených na SiC pomocou MOCVD pri rôznych tlakoch
- Analýza porúch v InAlGaN/GaN HEMT štruktúrach spektroskopiou hlbokých hladín
- Skúmanie emisných a záchytných procesov v štruktúrach na báze GaN spektroskopiou hlbokých hladín
- Meranie a charakterizácia energetickej odolnosti moderných výkonových elektronických prvkov zaťažených UIS a SC testom : dátum obhajoby 25.8.2023
- Analýza štruktúry materiálov pomocou mikro-Ramamanovho mikroskopu
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures