Simulation of Electrical Properties and Reliability of SiC Power Module
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak English |
| Vydavateľské údaje: |
2025
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=184542 |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Simulation of Electrical Properties and Reliability of SiC Power Module
- Modelovanie a simulácia SiC MOSFET tranzistora v podmienkach UIS testu
- Skúmanie kvality progresívnych polovodičových prvkov pre výkonové aplikácie
- Skúmanie odolnosti výkonových tranzistorov v podmienkach SC a UIS testu
- Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Návrh výkonového PFC filtra
- Vplyv elektrického namáhania na distribúciu porúch v TrenchMOS na báze SiC