Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | , |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2008
|
| Predmet: | |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Diagnostika štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
- Charakterizácia elektrofyzikálnych procesov v štruktúrach MOS pre pokročilú CMOS technológiu : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
- Návrh napäťového regulátora s prúdovou ochranou v technológii CMOS
- Návrh napäťového regulátora s nízkym úbytkom napätia v technológii CMOS