Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
Na minha lista:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Outros Autores: | , |
| Formato: | Manuscrito Livro |
| Publicado em: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2008
|
| Assuntos: | |
| Tags: |
Sem tags, seja o primeiro a adicionar uma tag!
|
Registos relacionados: Meranie teplotných závislostí rezistivity tenkých vrstiev Ru-SiO pre pokročilú CMOS technológiu
- Charakterizácia štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Diagnostika štruktúr MOS pre pokročilú CMOS technológiu
- Mikroštruktúra HfO2 a Hf1-xSixOy dielektrických tenkých vrstiev s vysokou permitivitou určených pre moderné CMOS štruktúry
- Charakterizácia elektrofyzikálnych procesov v štruktúrach MOS pre pokročilú CMOS technológiu : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
- Návrh napäťového regulátora s prúdovou ochranou v technológii CMOS
- Návrh napäťového regulátora s nízkym úbytkom napätia v technológii CMOS