Hochdosisimplamtation von Stickstoff in Silizium: Eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte /

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Podrobná bibliografia
Hlavný autor: Vogt, H (Autor)
Médium: Kniha
Jazyk:German
Vydavateľské údaje: Düsseldorf : VDI Verlag, 1986
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