Hochdosisimplamtation von Stickstoff in Silizium: Eine Technik zur Erzeugung von dielektrisch isolierten CMOS-Bauelementen mit hoher Integrationsdichte /

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Dettagli Bibliografici
Autore principale: Vogt, H (Autore)
Natura: Libro
Lingua:tedesco
Pubblicazione: Düsseldorf : VDI Verlag, 1986
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MARC

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