Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | , |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | inglese |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Soggetti: | |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
MARC
| LEADER | 00000ntm a22000003a 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | stu98325 | ||
| 005 | 20150617225817.8 | ||
| 008 | 051124s2005----xo------------------eng-d | ||
| 040 | |a STU |b slo | ||
| 041 | 0 | |a eng | |
| 044 | |a xo | ||
| 100 | 1 | |a Bernát, Juraj |4 aut |u E230 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Katedra rádioelektroniky |U E230 |Y 71 | |
| 245 | 1 | |a Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications : |b Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005 | |
| 260 | |a Bratislava : |b STU v Bratislave FEI, |c 2005 | ||
| 300 | |a 144 s | ||
| 650 | 7 | |a Mikroelektronika |2 stusub | |
| 700 | 1 | |a Donoval, Daniel, |d 1953- |4 ths |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 2039 |U E030 |Y 549 |7 A000002039 | |
| 700 | 1 | |a Kordoš, Peter, |d 1939- |4 ths |u E030 |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky |X 4897 |U E030 |Y 549 |7 A000004897 | |
| 996 | |b 284ED01091 |c E*PGŠ-902 |l EE01 |s A |a 24 |w stu98325_0001 | ||