Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005

Enregistré dans:
Détails bibliographiques
Auteur principal: Bernát, Juraj (Auteur)
Autres auteurs: Donoval, Daniel, 1953- (Directeur de thèse), Kordoš, Peter, 1939- (Directeur de thèse)
Format: Manuscrit Livre
Langue:anglais
Publié: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2005
Sujets:
Tags: Ajouter un tag
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!

Documents similaires: Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications :