Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | , |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | inglés |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Materias: | |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications :
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Svetlom podporované chemické leptane polovodičových štruktúr na báze AIGaN/GaN
- Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Identifikácia porúch v polovodičových štruktúrach na báze AlGaN/GaN
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN