Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications : Č.ved.odb. 26-13-9. Obh. 10.11.2005
Enregistré dans:
| Auteur principal: | |
|---|---|
| Autres auteurs: | , |
| Format: | Manuscrit Livre |
| Langue: | anglais |
| Publié: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2005
|
| Sujets: | |
| Tags: |
Pas de tags, Soyez le premier à ajouter un tag!
|
Documents similaires: Výroba a charakterizácia tranzistorov a dvojdimenzionálnym elektrónovým plynom na AIGaN/GaN heteroštruktúre pre výkonové aplikácie = Fabrication and Characterisation of AlGaN/Gan High Electron Mobility Transistors for Power Applications :
- Chemická analýza heteroštruktúr InGaN/GaN a AlGaN/GaN
- Svetlom podporované chemické leptane polovodičových štruktúr na báze AIGaN/GaN
- Príprava a vlastnosti AlGaN/GaN tranzistorov HEMT
- SIMS analýza perspektívnych metalizácií AlGaN/GaN štruktúr
- Identifikácia porúch v polovodičových štruktúrach na báze AlGaN/GaN
- Meranie vybraných parametrov Schottkyho diód na báze AlGaN/GaN