Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics : dátum obhajoby 23.8.2023
Guardado en:
| Autor principal: | |
|---|---|
| Otros Autores: | |
| Formato: | Manuscrito Libro |
| Lenguaje: | eslovaco inglés |
| Publicado: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildOUDF8&sid=8BA438E6D9CA2A91CF2CAAA27666&seo=CRZP-detail-kniha |
| Etiquetas: |
Sin Etiquetas, Sea el primero en etiquetar este registro!
|
Ejemplares similares: Hole Channel GaN-based Transistor for Power Electronics :
- Nové technológie a ich využitie v GaN HEMT tranzistoroch : dát. obhaj. 30.11.2016, č. ved. odboru 5-2-13
- Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Použitie GaN tranzistorov v 60W DC/DC meniči pre železničné aplikácie
- Štúdium mikroštruktúry vybraných zliatin zo systému Zn-Mg-Sc
- Protinádorové efekty orlistatu
- Návrh technológie zvárania súčiastky zloženej z kombinácie Al zliatin