Modelovanie a simulácia SiC MOSFET tranzistora v podmienkach UIS testu
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2021
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4BD9478A3A7038F60C223AAC8853&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Modelovanie a simulácia SiC MOSFET tranzistora v podmienkach UIS testu
- Skúmanie odolnosti výkonových tranzistorov v podmienkach SC a UIS testu
- Simulation of Electrical Properties and Reliability of SiC Power Module
- Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Meranie a charakterizácia energetickej odolnosti moderných výkonových elektronických prvkov zaťažených UIS a SC testom : dátum obhajoby 25.8.2023
- Modelovanie, simulácia a charakterizácia vybraných vlastností moderných výkonových štruktúr a prvkov : dát. obhaj. 26.6.2007, čís. ved. odb. 26-13-9
- Návrh riadiacej elektroniky pre družicový modul podľa ECSS štandardov