Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC

Salvato in:
Autore principale: Činčurak, Darko (Autore)
Altri autori: Kósa, Arpád (Relatore della tesi)
Natura: Manoscritto Libro
Lingua:slovacco
Pubblicazione: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2022
Soggetti:
Arrhéniova závislosť
DLTS
DLTFS
SiC
GaN
MOSFET
hlboké energetické hladiny,
Deep Level Transient spectroscopy
defects
Accesso online:https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC3DB109A&seo=CRZP-detail-kniha
Tags: Aggiungi Tag
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!

MARC

LEADER 00000ntm a22000003a 4500
001 stuzp85148
003 SK-STU
005 20221013101156.3
007 ta
008 150427s2015----xo-----f-mn---000-0-slo-d
040 |a STU  |b slo 
041 0 |a slo 
044 |a xo 
100 1 |a Činčurak, Darko  |u 033000  |4 aut  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 80565  |U E030  |Y 549  |7 80565 
242 0 1 |a Analysis of semiconductor structures based on SiC  |y eng 
245 1 0 |a Analýza porúch v polovodičových štruktúrach na báze SiC 
260 |a Bratislava :  |b STU v Bratislave FEI,  |c 2022 
300 |a 59 s. 
650 4 |a Arrhéniova závislosť  |2 slo 
650 4 |a DLTS  |2 slo 
650 4 |a DLTFS  |2 slo 
650 4 |a SiC  |2 slo 
650 4 |a GaN  |2 slo 
650 4 |a MOSFET  |2 slo 
650 4 |a hlboké energetické hladiny,  |2 slo 
650 4 |a Deep Level Transient spectroscopy  |2 eng 
650 4 |a MOSFET  |2 eng 
650 4 |a SiC  |2 eng 
650 4 |a defects  |2 eng 
700 1 |a Kósa, Arpád  |u 033000  |k Z8  |4 ths  |U FEI Fakulta elektrotechniky a informatiky  |T FEI Ústav elektroniky a fotoniky  |X 50249  |U E030  |Y 549  |7 A000050249 
856 4 |u https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioForm&sid=4F55101800366CEF54FDC3DB109A&seo=CRZP-detail-kniha 

Documenti analoghi