Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN : dát. obhaj. 23.9.2014, č. ved. odb. 5-2-13
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Manuscript Book |
| Language: | Slovak |
| Published: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | VAIS |
| Tags: |
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Similar Items: Vysoko-výkonové normálne-zatvorené spínacie tranzistory na báze GaN :
- Návrh spínaného zdroja napätia s GaN tranzistorom
- Analýza porúch v polovodičových štruktúrach a prvkoch na báze GaN
- Robustné senzory tlaku na báze AlGaN/GaN HEMT pre vysokoteplotné aplikácie : dát. obhaj. 23.5.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Elektrická charakterizácia Schottkyho štruktúr s heteropriechodom AlGaN/GaN : dát. obhaj. 11.4.2013, č. ved. odb. 5-2-13
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Aplikácia metódy Monte Carlo v rastrovacej elektrónovej mikroskopii GaN štruktúr : dát. obhaj. 20.3.2014, č. ved. odb. 5-2-13