Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco |
| Pubblicazione: |
2015
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=111662 |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Charakterizácia MOS heteroštruktúr na báze GaN pre bezpečné obohacovacie tranzistory
- GaAs-based MOS structures : dát. obhaj. 3.12.2015, č. ved. odb. 5-2-13
- Príprava a charakterizácia NiO/Ga2O3 heteroštruktúr pre realizáciu UV fotodiód
- Elektrická charakterizácia MOS-HEMT štruktúr na báze GaN
- Využitie elektrochemických metód na štúdium nových materiálov pre pokročilé technológie a procesy
- Optimalizácia ohmických kontaktov pre InAlN/GaN tranzistory
- Tvarovanie GaN mokrým chemickým leptaním