Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics : dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13
Salvato in:
| Autore principale: | |
|---|---|
| Altri autori: | |
| Natura: | Manoscritto Libro |
| Lingua: | slovacco inglese |
| Pubblicazione: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2019
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130790 |
| Tags: |
Nessun Tag, puoi essere il primo ad aggiungerne!!
|
Documenti analoghi: Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics :
- Charakterizácia GaN bufferových vrstiev rastených na SiC pomocou MOCVD pri rôznych tlakoch
- Návrh zdroja na budenie GaN tranzistorov
- Meranie výkonových GaN tranzistorov v podmienkach skratu
- Effect of different Si doping on the defects distribution in the GaN-based structures
- Analýza štruktúry materiálov pomocou mikro-Ramamanovho mikroskopu
- Elektrická charakterizácia štruktúr na báze progresívnych polovodičových materiálov : dát. obhaj. 11.8.2015, č. ved. odb. 5-2-13