Characterization of GaN and SiC Based Devices for Power Electronics : dátum obhajoby 26.8.2019, č. ved. odboru 5-2-13

Uložené v:
Hlavný autor: Szobolovszký, Robert (Autor)
Ďalší autori: Kováč, Jaroslav (Vedúci práce)
Médium: Rukopis Kniha
Jazyk:Slovak
English
Vydavateľské údaje: Bratislava : STU v Bratislave FEI, 2019
Predmet:
PiN diódy
SiC
Tranzistory s vysokou pohyblivosťou elektrónov v kanály
GaN
High electron mobility transistor
PiN diodes
On-line prístup:http://is.stuba.sk/zp/portal_zp.pl?podrobnosti=130790
Tagy: Pridať tag
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
Fyzický popis:173 s., AUTOREF. 2019, 41 s.

Podobné jednotky