Skúmanie odolnosti výkonových tranzistorov v podmienkach SC a UIS testu
Uložené v:
| Hlavný autor: | |
|---|---|
| Ďalší autori: | |
| Médium: | Rukopis Kniha |
| Jazyk: | Slovak |
| Vydavateľské údaje: |
Bratislava :
STU v Bratislave FEI,
2023
|
| Predmet: | |
| On-line prístup: | https://opac.crzp.sk/?fn=detailBiblioFormChildU76H7&sid=EC7951772ACC837B5F7CC9A56A1E&seo=CRZP-detail-kniha |
| Tagy: |
Žiadne tagy, Buďte prvý, kto otaguje tento záznam!
|
Podobné jednotky: Skúmanie odolnosti výkonových tranzistorov v podmienkach SC a UIS testu
- Modelovanie a simulácia SiC MOSFET tranzistora v podmienkach UIS testu
- Testovanie výkonových SiC MOSFET tranzistorov v podmienkach skratu
- Meranie a charakterizácia energetickej odolnosti moderných výkonových elektronických prvkov zaťažených UIS a SC testom : dátum obhajoby 25.8.2023
- Návrh a realizácia obvodu pre testovanie SC odolnosti výkonových tranzistorov
- Simulation of Electrical Properties and Reliability of SiC Power Module
- Zmáčavosť a interakcia špeciálnych zliatin s využitím ohrevu elektrónového lúča